您现在的位置: 首页 产品展示
PECVD管式炉

PECVD管式炉,等离子体增强化学汽相沉积管式炉

PECVD 系统的设计可降低传统化学气相沉积的反应温度。在传统化学气相沉积前面安装射频感应装置,电离反应气体,产生等离子体。等离子体的高活性是由于等离子体的高活性加速了反应的进行。

沉积速度快,膜层质量好,孔洞少,不开裂。配备AISO 全自动智能控制系统,操作方便,功能强大。

PECVD 炉的应用范围很广: 金属膜、陶瓷膜、复合膜、各种膜的连续生长。易增加功能,可扩展等离子清洗蚀刻等功能。

PECVD管式炉特点

· 高薄膜沉积速率: 采用射频辉光技术,大大提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达1000s.

· 高面积均匀性: 先进的多点射频送料技术、特殊气路分布、加热技术等,使薄膜均匀性指数达到8%.

· 高浓度: 使用先进的设计概念的半导体产业,一个沉积基板之间的偏差小于2%.

· 高过程稳定性: 高度稳定的设备确保了连续和稳定的过程。

 

PECVD管式炉标准配件

· 插管4支

· 炉管1根

· 真空泵1件

· 真空密封法兰2套

· 真空计1件

· 气体输送和真空泵

· 射频等离子体设备

可选配件

· 快卸法兰,三通法兰

· 7英寸高清触摸屏

 

PECVD管式炉技术规格

一、技术参数

型号

TW-PECVD-500A

加热长度和恒温区长度

440mm, 200mm

炉管尺寸

Ф100x1650mm (炉管直径可根据实际需要定制)

最高工作温度

1200 oC  (<1小时)

长期工作温度

≤1100℃

电压及额定功率

单相,220V,50Hz

控温方式

 

51段可编程控温,PID参数自整定,

‚操作界面为10”工控电脑,内置PLC控制程序,

ƒ可将温控系统、滑轨炉滑动(时间和距离)设定为程序控制。

控温精度

± 1 oC

温度均匀度

± 5 oC

加热速率

≦20 oC /分钟

热电偶

K型 (热电偶保护管为纯度 99.7%的刚玉管)

加热元件

HRE电阻丝

真空度

工作真空度10-2 Pa (冷态及保温)

极限真空度10-3 Pa (极限真空度)

炉膛材料

氧化铝、高温纤维制品


二、射频电源

信号频率

13.56 MHz±0.005%

功率输出范围

500W

最大反射功率

500W

射频输出接口

50 Ω, N-type, female

功率稳定度

±0.1%

谐波分量

≤-50dbc

供电电压

单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ

整机效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷却方式

强制风冷

三、三路质子流量控制系统

外形尺寸

600x600x650mm

连接头类型

双卡套不锈钢接头

标准量程(N2)

100sccm,100sccm、200sccm;200sccm

(可根据用户要求定制)

准确度

±1.5%

线性

±0.5~1.5%

重复精度

±0.2%

响应时间

气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

工作压差范围

0.1~0.5 MPa

最大压力

3MPa

接口

Φ6,1/4”

显示

4位数字显示

工作环境温度

5~45高纯气体

压力真空表

-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格

截止阀

Φ6

内外双抛不锈钢管

Φ6

包含低真空系统

 

 


上一个 上一个产品
下一个 下一个产品