PECVD管式炉-合肥泰威自动化技术有限公司

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PECVD管式炉

PECVD管式炉，等离子体增强化学汽相沉积管式炉

PECVD 系统的设计可降低传统化学气相沉积的反应温度。在传统化学气相沉积前面安装射频感应装置，电离反应气体，产生等离子体。等离子体的高活性是由于等离子体的高活性加速了反应的进行。

沉积速度快，膜层质量好，孔洞少，不开裂。配备AISO 全自动智能控制系统，操作方便，功能强大。

PECVD 炉的应用范围很广: 金属膜、陶瓷膜、复合膜、各种膜的连续生长。易增加功能，可扩展等离子清洗蚀刻等功能。

PECVD管式炉特点

· 高薄膜沉积速率: 采用射频辉光技术，大大提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达1000s.

· 高面积均匀性: 先进的多点射频送料技术、特殊气路分布、加热技术等，使薄膜均匀性指数达到8%.

· 高浓度: 使用先进的设计概念的半导体产业，一个沉积基板之间的偏差小于2%.

· 高过程稳定性: 高度稳定的设备确保了连续和稳定的过程。

· 插管4支

· 炉管1根

· 真空泵1件

· 真空密封法兰2套

· 真空计1件

· 气体输送和真空泵

· 射频等离子体设备

· 快卸法兰，三通法兰

· 7英寸高清触摸屏

一、技术参数
型号	TW-PECVD-500A
加热长度和恒温区长度	440mm, 200mm
炉管尺寸	Ф100x1650mm （炉管直径可根据实际需要定制）
最高工作温度	1200 oC (<1小时)
长期工作温度	≤1100℃
电压及额定功率	单相，220V，50Hz
控温方式	51段可编程控温，PID参数自整定， ‚操作界面为10”工控电脑，内置PLC控制程序， ƒ可将温控系统、滑轨炉滑动（时间和距离）设定为程序控制。
控温精度	± 1 oC
温度均匀度	± 5 oC
加热速率	≦20 oC /分钟
热电偶	K型（热电偶保护管为纯度 99.7%的刚玉管）
加热元件	HRE电阻丝
真空度	工作真空度10-2 Pa (冷态及保温) 极限真空度10-3 Pa (极限真空度）
炉膛材料	氧化铝、高温纤维制品

二、射频电源

信号频率	13.56 MHz±0.005%
功率输出范围	500W
最大反射功率	500W
射频输出接口	50 Ω, N-type, female
功率稳定度	±0.1%
谐波分量	≤-50dbc
供电电压	单相交流（187V-253V）频率50/60HZ
整机效率	>=70%
功率因素	>=90%
冷却方式	强制风冷
三、三路质子流量控制系统
外形尺寸	600x600x650mm
连接头类型	双卡套不锈钢接头
标准量程（N2)	100sccm，100sccm、200sccm；200sccm （可根据用户要求定制）
准确度	±1.5%
线性	±0.5～1.5%
重复精度	±0.2%
响应时间	气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
工作压差范围	0.1～0.5 MPa
最大压力	3MPa
接口	Φ6,1/4”
显示	4位数字显示
工作环境温度	5~45高纯气体
压力真空表	－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格
截止阀	Φ6
内外双抛不锈钢管	Φ6
包含低真空系统